临床和诱发心律失常放电对植入ICD患者死亡率和致残率影响

    1997年12月至2007年1月共1372名植入ICD患者进行队列研究。使用Cox百分比多因素分析方法，比较不同类型ICD放电（恰当临床放电或noninvasive electrophysiology study[NIPS]过程中放电）对急性失代偿心衰（acute decompensated heart failure，ADHF）全因死亡率和住院率的影响。分为四种ICD放电类型：仅ICD植入时放电（n=694），仅额外NIPS放电（n=319），仅额外恰当ICD放电（n=128），或仅额外不恰当ICD放电（n=104）。

    NIPS和植入时放电患者死亡（校正HR：0.91，95% CI：0.69～1.20，p=0.491）或ADHF（校正HR：0.71，95% CI：0.46～1.16，p=0.277）危险性类似。恰当ICD放电患者死亡（校正HR：2.09，95% CI：1.38～2.69，p<0.001）和ADHF（校正HR：2.40，95% CI：1.51～3.81，p<0.002）危险性增加，与植入时放电比较；恰当ICD放电患者死亡（校正HR：2.61，95% CI：1.86～3.67，p<0.001）和ADHF（校正HR：2.29，95% CI：1.33～3.97，p=0.003）危险性亦增加，与NIPS放电比较。四种ICD放电类型患者累积死亡危险性见下图：

    NIPS检测期间诱发心律失常放电并不增加死亡或ADHF危险性，与恰当ICD放电比较。自发心律失常发生的易损基质可解释危险性的增加。

    文章来源：中国医学前沿网